快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压
分类：产品知识 日期：2023-12-14 浏览：473 查看 »
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下
分类：产品知识 日期：2023-12-14 浏览：616 查看 »
肖特基二极管在电子应用中非常常见，肖特基二极管少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复是相对小的
分类：产品知识 日期：2023-11-28 浏览：503 查看 »
